射频易商城_低噪声放大器芯片_低噪声放大器基本设计方法②

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射频易商城_低噪声放大器芯片_低噪声放大器基本设计方法②

2023-03-15 19:31 来源：互联网阅读次数：3555

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导读：很多朋友不知道低噪声放大器的基本设计原理，如何选择低噪声放大器。射频易商城RFeasy.cn为你解答Gain Block的基本设计原理。

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LNA的基本设计②

目前广泛使用的是金属半导体场效应管低噪声放大器。它的核心部件是金属半导体场效应管（MESFET）。金属半导体场效应管是用本征砷化镓作为基片的衬底，用特殊工艺形成源极（S）、栅极（G）和漏极（D）三个电极；通过栅极电压来控制漏极电流，从而实现对小信号的放大功能。微波场效应管的主要参数有：特征频率、单向功率增益和振荡频率、最大输出功率和噪声特性。微波场效应管低噪声放大器设计主要考虑的问题是计算输入、输出匹配网络和选择工作点。通常、二级按最小噪声系数设计，中间级按高增益设计，末级则保持良好的线性，满足系统互调特性的要求。微波场效应管低噪声放大器的设计步骤：

1、选择适当的电路形式
一般采用共源极电路形式，并尽可能选用 fT 高的管子。
2、确定工作点和偏置电路
小信号管做低噪声放大时，漏极电流很小，一般为 10mA 左右。而作高增益放大时，漏极电流略大些，一般在 10～30mA。偏置电路的选择和低频电路类似，有恒流式偏置电路和分压式偏置电路两类。
3、晶体管噪声参量和 S 参数的获得

大多数情况下晶体管的生产厂家提供相应型号的器件的噪声参量和 S 参数。晶体管的噪声参量和 S 参数也可以通过在实际工作点下，测量所需频段的噪声参量和 S 参数得到。

推荐产品一、丽芯微电1 to 30GHz, LXA1014 通用低噪声放大器Die 裸芯片

频率：1 ～30 GHz
增益：18dB
噪声系数：2.5dB
-1dB输出功率：16.0dBm
输入回波损耗：-30dB
输出回波损耗：-30dB
工作电流：70mA @+5V

推荐产品二、丽芯微电1 to 30GHz, LXA1015 通用低噪声放大器Die 裸芯片

频率：1 ～30 GHz
增益：17dB
噪声系数：2.8dB
-1dB输出功率：19.0dBm
输入回波损耗：-30dB
输出回波损耗：-20dB
工作电流：150mA @+8V