射频易商城_开关芯片_微波开关芯片的研究与设计⑥

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射频易商城_开关芯片_微波开关芯片的研究与设计⑥

2023-01-10 19:33 来源：互联网阅读次数：3165

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导读：很多朋友不知道微波开关的研究与设计，如何选择微波开关。射频易商城RFeasy.cn为你解答微波开关的研究与设计

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微波开关芯片的研究与设计

微波开关主要功能是控制信号的接收与发射，当系统处于发射状态时，开关电路需要承受来自系统发射机发射的大功率信号，开关电路的功率处理能力是重要的指标，功率处理能力和线性度是紧密相关的，它们都可以用 1dB 功率压缩点衡量。开关一般位于发射链路的最后一级和接收链路的级，开关在发射状态插入损耗越大意味着自功率放大器到达发射端口的信号功率越小，即功率放大器效率越低，而开关在接收状态的插入损耗越大则意味着接收链路噪声越大。为避免发射大功率信号时接收端和发射端相互干扰而造成系统饱和、毁坏或不稳定，隔离度是开关另一重要参数。微波开关设计的成功与否，由能否满足这些关键性能参数直接衡量。对于硅基 MOSFET 微波开关而言，衬底的非绝缘特性和栅氧层的易击穿特性使其难以在保证功率处理能力的前提下实现合乎规格的插入损耗，这是阻碍硅基 MOSFET 微波开关商用化的瓶颈 [20-36, 44-49] 。

2.1 插入损耗
插入损耗是衡量微波开性能关最重要的性能参数之一，它描述开关在导通状态所引入的损耗，常被表示为来自源的的可用功率与传送到负载的功率之比。串联式开关电路处于导通状态的原理图如图 2-1（a）所示，其等效电路可以用电阻

和电容建模。

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